LED隧道灯散热结构设计及芯片制作流程

日期：2015-07-28 来源：www.agoodstu.com

        传统隧道灯在隧道照明中使用了很长一段时间，近些年随着LED的发展及人们对环保与节能的认知，LED隧道灯在隧道照明中的使用在逐渐增多，其散热结构设计及芯片制作流程目前也形成了一定的技术规范。

       LED隧道灯散热结构设计：

       热源主要来自两部分：光源和电源。光源部分的热量，通常要注意光源PCB与散热器的贴合面间的有效接触面积，有效接触面积越大，散热性越好。此外，要注意不同介质间热传导界面尽可能光滑；热传导物之间贴合要足够紧密，嵌合件之件的接触面空隙要尽可能小而少。

      自然对流散热，同样要求有效换热面积，因此一般情况下，散热体外壁适当粗糙化可增大有效换热面积；另外，在喷涂不同色漆时要考虑喷涂厚度和该类色漆的导热性能和辐射性能的好坏。一般为了增大散热器的换热面积，小猪猪app采用鳍片结构。
     
      另外电源部分的发热，其内部一般采取使用导热灌封胶或者导热泥等介质对电源进行散热处理。对于功率较大的，可利用电源的安装部件进行辅助散热。外置电源比安装在腔体内更利于电源的散热。

       LED隧道灯芯片制作流程：

       芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。

       一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。